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熱銷(xiāo)產(chǎn)品
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三菱A系列IGBT模塊

性能特點(diǎn)

采用最新的CSTBTTM硅片技術(shù):
• 低飽和壓降Vce(sat), 低開(kāi)關(guān)損耗Esw(on), Esw(off)
• 高短路耐受能力
ΔT(j-f)性能優(yōu)于歐洲的同類(lèi)溝槽型IGBT模塊
采用歐式熱阻定義Rth(j-c)和Rth(c-f),通過(guò)采用氮化鋁AlN絕緣層實(shí)現優(yōu)良的熱阻特性
成本優(yōu)化的封裝,低阻抗封裝(A系列1單元除外)
飽和壓降低、短路承受能力強、驅動(dòng)功率小
比同等級其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%,在相同輸出電流時(shí)ΔT(j-f)低15%
內置導熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層,通過(guò)調整底板與氮化鋁絕緣層之間的焊接層厚度來(lái)改善溫度循環(huán)能力Δ Tc (焊接層疲勞),熱阻小
模塊內部寄生電感小,減小柵極電容:柵極驅動(dòng)功率近似于平面型IGBTs
功率循環(huán)能力顯著(zhù)改善,
采用新的導線(xiàn)焊接工藝大大提高功率循環(huán)能力ΔTj (導線(xiàn)連接疲勞)

應用領(lǐng)域

適合中、低端變頻器產(chǎn)品設計

封裝尺寸

94mm × 48mm 108mm × 62mm	110mm × 80mm 140mm × 130mm
94mm × 48mm 108mm × 62mm 110mm × 80mm 140mm × 130mm

三菱第五代A系列IGBT模塊產(chǎn)品型號見(jiàn)下表,歡迎聯(lián)系上海菱端電子有限公司產(chǎn)品咨詢(xún)及技術(shù)支持。

IGBT Modules (A series)

電路拓撲 VCES(V) Ic(A)
75 100 150 200 300 400 600
2單元 1200   CM100DY
-24A
 (45KB)
CM150DY
-24A
 (45KB)
CM200DY
-24A
 (45KB)
CM300DY
-24A
 (45KB)
CM400DY
-24A
 (48KB)
CM600DY
-24A
 (49KB)
1700 CM75DY
-34A
 
(110KB)
CM100DY
-34A
 
(101KB)
CM150DY
-34A
 
(121KB)
CM200DY
-34A
 
(102KB)
CM300DY
-34A
 
(100KB)
CM400DY
-34A
 
(126KB)
 
1單元 1200V             CM600HA
-24A
 
(117KB)
          CM400HA
-24A
 
(118KB)
CM600HB
-24A
 
三菱電機IGBT模塊的命名方法:
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