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IGBT模塊的損耗特性

IGBT元件的損耗總和分為:通態(tài)損耗與開(kāi)關(guān)損耗。開(kāi)關(guān)損耗分別為開(kāi)通損耗(EON)和關(guān)斷損耗(EOFF)之和。另外,內置續流二極管的損耗為導通損耗與關(guān)斷(反向恢復)損耗(ERR)之和。 EON、EOFF、ERR與開(kāi)關(guān)頻率的乘積為平均損耗。
IGBT的損耗:
IGBT的損耗
續流二極管的反向恢復損耗:
續流二極管的反向恢復損耗
反向恢復損耗 ERR
開(kāi)關(guān)特性的測試:
開(kāi)關(guān)特性的測試
PDMB100B12開(kāi)通損耗EON測量范例:
PDMB100B12開(kāi)通損耗EON測量范例
PDMB100B12關(guān)斷損耗EOFF測量范例:
PDMB100B12關(guān)斷損耗EOFF測量范例
1200V B系列開(kāi)通損耗 EON (Tj= 125℃),有關(guān)門(mén)極系列阻抗RG請參閱技術(shù)規格。
1200V B系列開(kāi)通損耗 EON (Tj= 125℃)
1200V B系列關(guān)斷損耗 Eoff (Tj=125C),有關(guān)門(mén)極系列阻抗RG請參閱技術(shù)規格。
1200V B系列關(guān)斷損耗 Eoff (Tj=125C)
1200V B系列續流二極管反向恢復損耗 ERR(Tj= 125℃),有關(guān)門(mén)極系列阻抗RG請參閱技術(shù)規格。
1200V B系列續流二極管反向恢復損耗 ERR
1200V B系列ERR對門(mén)極串聯(lián)電阻RG依存性(Tj= 125℃)
1200V B系列ERR對門(mén)極串聯(lián)電阻RG依存性

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